引:英特尔公司22日宣布，从其45纳米高-k金属栅极处理器全部产品系列开始，英特尔下一代的处理器将实现百分之百的无铅化。
英特尔45纳米高-k产品系列包括下一代英特尔®酷睿™2双核、英特尔®酷睿™2四核以及英特尔®至强®处理器。采用最新45纳米高-k技术的处理器将于2007年下半年开始投产。
即将投产的英特尔45纳米“高-k栅介质+金属栅极”处理器系列将采用新的封装技术。该技术将使用铜质凸焊点(bump)和一种锡/银/铜的合金(如图所示)来替换掉原来的锡/铅合金焊料，这些焊料起着连接芯片(silicon die)到封装底层的作用。
剩余的5%的铅(大约0.2克)当时存在于第一层连接的铅/锡合金焊料之中，这些焊料起着连接芯片(silicon die)到封装底层的作用(如图所示)。为了替换掉最后的这些铅，英特尔将使用铜质凸焊点(bump)和一种锡/银/铜的合金焊料。
英特尔的45纳米处理器不仅无铅，而且还会利用英特尔的高-k硅技术降低晶体管的漏电，使处理器的能效和性能都得到极大提升。
英特尔公司的45纳米高-k硅技术还包括了第三代应变硅技术以改进驱动电流，同时利用低-k电介质降低互连电容，从而在提高性能的同时降低功率。最终，英特尔45纳米高-k处理器系列将能使台式机、笔记本电脑、移动互联网设备以及服务器设计变得更轻巧时尚，体积更小，能效更高。 |
